Các phương pháp DLTS
DLTS quy ước
Phổ DLTS quy ước thông thường
Trong DLTS thông thường, các transients điện dung được điều tra bằng cách sử dụng một bộ khuếch đại lock-in hoặc kỹ thuật tăng gấp đôi hộp xe khi nhiệt độ mẫu dần dần thay đổi (thường ở một khoảng từ nhiệt độ nitơ lỏng đến nhiệt độ từ 300 K trở lên). Tần số tham chiếu thiết bị là tỷ lệ lặp lại xung điện áp. Trong phương pháp DLTS thông thường tần số này nhân với một số hằng số (phụ thuộc vào phần cứng được sử dụng) được gọi là “cửa sổ tỷ lệ”. Trong quá trình quét nhiệt độ, các đỉnh xuất hiện khi tốc độ phát thải của các tàu sân bay từ một số khiếm khuyết bằng với tốc độ cửa sổ. Bằng cách thiết lập các cửa sổ tốc độ khác nhau trong các phép đo quang phổ DLTS tiếp theo, chúng ta có được nhiệt độ khác nhau ở đó xuất hiện một số đỉnh đặc biệt. Có một bộ tỷ lệ phát thải và các cặp nhiệt độ tương ứng có thể làm cho một cốt truyện Arrhenius, cho phép khấu trừ năng lượng kích hoạt khiếm khuyết cho quá trình phát thải nhiệt. Thông thường năng lượng này (đôi khi được gọi là mức năng lượng khiếm khuyết) cùng với giá trị đánh dấu lô là các tham số sai hỏng được sử dụng để xác định hoặc phân tích.Những mẫu có độ dẫn không đổi độ dẫn điện thấp cũng được sử dụng để phân tích DLTS.
Ngoài DLTS “Nhiệt độ” thông thường, trong đó nhiệt độ được quét trong khi pulsing thiết bị ở một tần số cố định, người ta có thể giữ nhiệt độ không đổi và quét tần số pulsing. Kỹ thuật này được gọi là Frequency Scan DLTS. Về lý thuyết tần số và quét nhiệt độ DLTS nên mang lại kết quả tương tự. Tần số quét DLTS đặc biệt hữu ích khi một sự thay đổi tích cực về nhiệt độ có thể làm hỏng thiết bị. Một ví dụ khi quét tần số cho thấy là hữu ích cho việc nghiên cứu các thiết bị MOS hiện đại với các ôxit mỏng và nhạy cảm .
Gần đây, DLTS đã được sử dụng để nghiên cứu chấm lượng tử.